光刻技术的原理是什么？

发布网友 发布时间：2022-04-22 11:00

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热心网友 时间：2023-11-01 06:43

光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。

热心网友 时间：2023-11-01 06:44

　　
光刻技术的原理
集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
　　光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。

热心网友 时间：2023-11-01 06:44

概述

RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶，可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。

技术指标如下表：

颜色砖红色

粘度(25℃,VT-04E/F)20-50 mpa.s

基板ITO玻璃(30Ω)

涂膜厚度1.3—1.8um

前烤100x90sec(热板)

曝光60-100mj/cm2

显影0.8% KOHx60sec

后烤热板120℃×120sec

蚀刻HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃

剥离4%NaOH@50℃×120sec

贮存期限（25℃以下暗处贮存）6个月

操作工艺参数：

1．涂布：23℃，辊涂，膜厚1.1-1.8μm；

2．前烤：100℃x90sec(热板)，烤道100℃3—5分钟；

3．曝光：90mj/cm2；

4．显影：23℃，0.4% NaOH，1min，喷淋或浸渍；

5．后烤：热板120℃×120sec，烤120℃,3-5分钟；

6．蚀刻：45℃，FeCl3/HCl或HNO3/ HCl；

7．剥离：23℃  4-6% NaOH

热心网友 时间：2023-11-01 06:45

光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。实际情况远比叙述的复杂，为了能够理解简单说说是这样。追问我想问哈，如果要做的话大概都需要什么助剂，能否告知下名称

热心网友 时间：2023-11-01 06:45

集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
两种工艺：
①光复印工艺
②刻蚀工艺