内存上的2rx8、1rx8、2rx4什么意思
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发布时间：2022-03-31 08:53
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懂视网
时间：2022-03-31 13:15
2rx8其中的rx8是内存颗粒的个数，2rx8意思是内存的颗粒数是16颗，通过内存的颗粒数是看不出几代内存的。可以观察外观来判断是几代内存，或者查看说明书，或者用鲁大师测。
介绍一下通过外观看是几代内存的方法：
DDR1(第一代) 一个缺口，单面92针脚，双面184针脚，电压2.5v ,内存颗粒长方形 工作频率：266，333，400。
DDR2(第二代) 一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.8v，内存颗粒正方形 工作频率：533,667,800。
DDR3(第三代) 一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.5v，内存颗粒正方形 工作频率：1066,1333,1800。
对于内存条来说，内存颗粒是比较主要的组成部分，内存颗粒的多少，和内存容量的大小以及内存的好坏有着直接的关系。一般来说如果内存的颗粒个数比较少，那么相应的内存发热的量也就比较小了，如果内存颗粒数比较多的话，整体就会比较稳定。
热心网友
时间：2022-03-31 10:23
2rx8表示memory（内存）的内存颗粒的个数为16个。
1rx8表示memory的内存颗粒的个数为8个。
2rx4表示memory的内存颗粒的个数为8个。
内存计算方法如下：
CPU数据总线的位宽，现在一般是64bit，这个位宽就称之为物理Bank。那么内存1RX4则表示1个64bit，X4则表示memory每颗内存颗粒的位数。
从这里我们就可以很容易知道memory内存颗粒的个数为：64/4=16颗。
如果是2rx8的话内存颗粒就是：64*2/8=16颗。
如果是2rx4的话内存颗粒就是：64*2/4=8颗。
如果是1rx8的话内存颗粒就是：64/4*2=8颗。
所以无论是1RX4 ，2Rx4或者 1RX8，2Rx8，代表的含义可以理解为memory的内存颗粒的个数，而不是单面或者是双面内存。
扩展资料
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用16片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
参考资料来源：百度百科-内存颗粒
热心网友
时间：2022-03-31 11:41
这些代表的是内存颗粒的个数:
2Rx8的颗粒数是:64x2/8=16，也就是这个内存共有16个内存颗粒；
1Rx8是64/8=8, 这个内存有8个颗粒；
2Rx4是64x2/4=32，这个内存有32个颗粒；
一般来说内存颗粒个数越少 内存发热量越小 比较颗粒多的更稳定一些。
扩展资料：
内存颗粒的区别：
1、内存条上的黑色小方块也就是内存颗粒，越多内存的容量越大，如果在内存容量一定的情况下，单面双面也就是方块的多少并没有性能优异的区别，只是单面的集成度高而已。
2、内存颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存*的好坏。因此，一个好的内存必须有良好的内存颗粒作保证。
颗粒容量主要含义：
1、第1位：芯片功能k，代表是内存芯片。
2、第2位：芯片类型4，代表dram。
3、第3位：芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
4、第4、5位：容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
5、第6、7位：数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
6、第11位：连线“-”。
7、第14、15位：芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
参考资料来源：百度百科—内存颗粒
热心网友
时间：2022-03-31 13:15
2rx8表示memory（内存）的内存颗粒的个数为16个。
1rx8表示memory的内存颗粒的个数为8个。
2rx4表示memory的内存颗粒的个数为8个。
内存计算方法如下：
CPU数据总线的位宽，现在一般是64bit，这个位宽就称之为物理Bank。那么内存1RX4则表示1个64bit，X4则表示memory每颗内存颗粒的位数。
从这里我们就可以很容易知道memory内存颗粒的个数为：64/4=16颗。
如果是2rx8的话内存颗粒就是：64*2/8=16颗。
如果是2rx4的话内存颗粒就是：64*2/4=8颗。
如果是1rx8的话内存颗粒就是：64/4*2=8颗。
所以无论是1RX4 ，2Rx4或者 1RX8，2Rx8，代表的含义可以理解为memory的内存颗粒的个数，而不是单面或者是双面内存。
扩展资料
例：samsungk4h280838b-tcb0
颗粒容量主要含义：
1、第1位：芯片功能k，代表是内存芯片。
2、第2位：芯片类型4，代表dram。
3、第3位：芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
4、第4、5位：容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
5、第6、7位：数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
6、第11位：连线“-”。
7、第14、15位：芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
参考资料来源：百度百科：内存颗粒
热心网友
时间：2022-03-31 15:07
如果是2rx8的话内存颗粒就是：64*2/8=16颗。
如果是2rx4的话内存颗粒就是：64*2/4=8颗。
数学学在*里了
热心网友
时间：2022-03-31 17:15
2Rx8的颗粒数是:64x2/8=16 也就是这个内存共有16个内存颗粒
1Rx8是64/8=8, 这个内存有8个颗粒.
一般来说内存颗粒个数越少 内存发热量越小 比较颗粒多的更稳定一些.
热心网友
时间：2022-03-31 19:39
Memory 知识汇总
Memory Rank 举例说明，单面的内存一般都是8个8bit的芯片，所以有一个物理BANK，但是双面的内存有16片8bit的芯片，所以有两个物理BANK（16*8/64）并不是所以的单面的内存都是一个BANK，例如单面8片16bit芯片的内存就有两个BANK，也不是所有的双面内存都是双bank,例如16片4bit的芯片的内存只有1个bank ,传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理(BankPhysical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。 在一些文档中，也把P-Bank称为Rank（列）。 single rank单列 al rank双列为了更好更简便的理解memory Rank的含义，做如下说明：1.首先，需要知道CPU数据总线的位宽,现在一般是64bit, 这个位宽就称之为物理Bank..2.那么memory 1RX4则表示1个64bit,X4则表示memory每颗内存颗粒的位数.从这里我们就可以很容易知道memory内存颗粒的个数为：64/4=16颗。如果是2RX8的话内存颗粒就是:64*2/8=16颗.3.所以无论是1RX4 ,2Rx4或者 1RX8,2Rx8，代表的含义可以理解为memory的内存颗粒的个数.而不是单面或者是双面内存. Memory Channel 双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。 双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。 普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。 总结来说，之所以会出现多内存多通道，是为了消除内存与前端总线（QPI）瓶颈。一： ECC 在普通的内存上，常常使用一种技术，即Parity，同位检查码（Parity check codes）被广泛地使用在侦错码（error detectioncodes）上，它们增加一个检查位给每个资料的字元（或字节），并且能够侦测到一个字符中所有奇（偶）同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。基于上述情况，产生了一种新的内存纠错技术，那就是ECC，ECC本身并不是一种内存型号，也不是一种内存专用技术，它是一种广泛应用于各种领域的计算机指令中，是一种指令纠错技术。ECC的英文全称是“Error Checking and Correcting”，对应的中文名称就叫做“错误检查和纠正”，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。之所以说它并不是一种内存型号，那是因为并不是一种影响内存结构和存储速度的技术，它可以应用到不同的内存类型之中，就象前讲到的“奇偶校正”内存，它也不是一种内存，最开始应用这种技术的是EDO内存，现在的SD也有应用，而ECC内存主要是从SD内存开始得到广泛应用，而新的DDR、RDRAM也有相应的应用，目前主流的ECC内存其实是一种SD内存。 二：Chipkill Chipkill技术是IBM公司为了解决目前服务器内存中ECC技术的不足而开发的，是一种新的ECC内存保护标准。我们知道ECC内存只能同时检测和纠正单一比特错误，但如果同时检测出两个以上比特的数据有错误，则一般*为力。目前ECC技术之所以在服务器内存中广泛采用，一则是因为在这以前其它新的内存技术还不成熟，再则在目前的服务器中系统速度还是很高，在这种频率上一般来说同时出现多比特错误的现象很少发生，正因为这样才使得ECC技术得到了充分地认可和应用，使得ECC内存技术成为几乎所有服务器上的内存标准。 但随着基于Intel处理器架构的服务器的CPU性能在以几何级的倍数提高，而硬盘驱动器的性能同期只提高了少数的倍数，因此为了获得足够的性能，服务器需要大量的内存来临时保存CPU上需要读取的数据，这样大的数据访问量就导致单一内存芯片上每次访问时通常要提供4（32位）或8（64位）比特以上的数据，一次性读取这么多数据，出现多位数据错误的可能性会大大地提高，而ECC又不能纠正双比特以上的错误，这样就很可能造成全部比特数据的丢失，系统就很快崩溃了。IBM的Chipkill技术是利用内存的子结构方法来解决这一难题。内存子系统的设计原理是这样的，单一芯片，无论数据宽度是多少，只对于一个给定的ECC识别码，它的影响最多为一比特。举个例子来说明的就是，如果使用4比特宽的DRAM，4比特中的每一位的奇偶性将分别组成不同的ECC识别码，这个ECC识别码是用单独一个数据位来保存的，也就是说保存在不同的内存空间地址。因此，即使整个内存芯片出了故障，每个ECC识别码也将最多出现一比特坏数据，而这种情况完全可以通过ECC逻辑修复，从而保证内存子系统的容错性，保证了服务器在出现故障时，有强大的自我恢复能力。采用这种内存技术的内存可以同时检查并修复4个错误数据位，服务器的可靠性和稳定得到了更加充分的保障。 三：Register Register即寄存器或目录寄存器，在内存上的作用我们可以把它理解成书的目录，有了它，当内存接到读写指令时，会先检索此目录，然后再进行读写操作，这将大大提高服务器内存工作效率。带有Register的内存一定带Buffer（缓冲），并且目前能见到的Register内存也都具有ECC功能，其主要应用在中高端服务器及图形工作站上，如IBM Netfinity 5000。 四：FB-DIMM FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全缓冲内存模组)是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。 FB-DIMM技术是Intel为了解决内存性能对系统整体性能的制约而发展出来的，在现有技术基础上实现了跨越式的性能提升，同时成本也相对低廉。在整个计算机系统中，内存可谓是决定整机性能的关键因素，光有快的CPU，没有好的内存系统与之配合，CPU性能再优秀也无从发挥。这种情况是由计算机原理所决定的，CPU在运算时所需要的数据都是从内存中获取，如果内存系统无法及时给CPU供应数据，CPU不得不长时间处在一种等待状态，硬件资源闲置，性能自然无从发挥。对于普通的个人电脑来说，由于是单处理器系统，目前的内存带宽已经能满足其性能需求；而对于多路的服务器来说，由于是多处理器系统，其对内存带宽和内存容量是极度渴求的，传统的内存技术已经无法满足其需求了。这是因为目前的普通DIMM采用的是一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构，这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不继续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片数据越多，影响也就越大。虽然Rambus公司所推出的的XDR内存等新型内存技术具有极高的性能，但是却存在着成本太高的问题，从而使其得不到普及。而FB-DIMM技术的出现就较好的解决了这个问题，既能提供更大的内存容量和较理想的内存带宽，也能保持相对低廉的成本。FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。 与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。 与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。Memory Mode:（4个工作模式） Advanced ModeMirror ModeSpan
