二氧化钛能否湿法刻蚀

发布网友发布时间：2023-03-25 20:27

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热心网友时间：2023-10-19 23:18

采用掩膜光刻技术，选择性地去除基底表面的部分二氧化硅保护层，得到含有图案的基底；2)对含有图案的基底进行湿法刻蚀，在基底表面形成沟槽阵列结构，得到含有沟槽阵列结构的基底；3)在含有沟槽阵列结构的基底上沉积二氧化硅层，得到图案化基底；4)在图案化基底上旋涂tio2晶种溶液，之后进行热退火，得到含晶种的基底；5)将含晶种的基底煅烧后，浸入前驱液中，通过水热生长制备tio2纳米线，即得到生长在基底上的图案化二氧化钛纳米线阵列。2.根据权利要求1所述的一种图案化二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述的基底为抛光后的硅晶圆片，基底厚度为300
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1000微米，并且基底表面含有100
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800纳米厚的二氧化硅保护层；所述的图案为条纹图案或点阵图案。3.根据权利要求1所述的一种图案化二氧化钛纳米线阵列的制备方法