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mos参数问题

发布网友 发布时间:2022-04-20 06:12

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热心网友 时间:2023-09-13 05:08

首先irf540n是N-MOS;通常用与低端(边)驱动,接地端,导通条件4V<=Vgs<=10V;
P-MOS一般才是用作高端(边)驱动;
参数说明:
1&2
问题不全;
3
栅极对源极的电压,即导通电压最高4V(可靠导通,最好Vgs要大于4V);
4
栅极对源极的耐受电压,导通情况下测量得10V(这没说是最大值,但姑且按它是最大值吧);
5
漏极对源极的耐受电压为100V。
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