怎样看懂内存条芯片的参数

发布网友发布时间：2022-04-20 08:05

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热心网友时间：2023-10-04 19:52

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编号形式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗；空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号品牌国家/地区标识备注
1 三星韩国 SAMSUNG
2 现代韩国 HY
3 乐金韩国 LGS 已与HY合并
4 迈克龙美国 MT
5 德州仪器美国 Ti 已与Micron合并
6 日电日本 NEC
7 日立日本 HITACHI
8 冲电气日本 OKI
9 东芝日本 TOSHIBA
10 富士通日本 F
11 西门子德国 SIEMENS
12 联华台湾 UMC
13 南亚台湾 NANYA
14 茂矽台湾 MOSEI

热心网友时间：2023-10-04 19:52

内存条都是以（厂家名）（容量）（容量系数）（类型）（速度）的形式来表示的。中间可能夹着电压（3.3/5V）特殊标识在里面。要知道它是什麽内存，只要从“-”标记往前数，第一个数字就是内存类型标识，0是普通FP，单数是EDO，双数是SDRAM。以？？064v160j10-10？？为例就是？？厂家；64=64Mbit容量（是bit，不是Byte）；v表示3。3V的内存；16是跟容量相关的系数。表示这块小芯片的位数是16，所以64位总线的Pentium机至少要用4片这样的小芯片才能构成可用的SIMM内存条。这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64bit*4/8=32MB（也就是我们所说的32M一条的内存）。如果SIMM内存条上有16片这样的小芯片，就是128M一条的内存条。另一方面，如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须两条SIMM内存条同时使用才能满足总线宽度。16bit*2片*两条=64bit（总线宽度）。而32bit总线的486，只要有两片这样的小芯片就可以构成完整可用的SIMM内存组了。这时候SIMM的容量是64bit*2/8=16MB。0j是厂家的内部标识，没有固定的判别方法。10是双数，所以这是一条SDRAM。再举一个实例：我的一条内存上印着HY57V168010ATC-10。HY是指由韩国现代生产；V是表示3.3V工作电压；16表示容量是16Mbit；8表示小芯片是16/8=2M*8bit；10表示是SDRAM；-10表示速度为10ns；57和ATC都是厂家的内部标识，通常包括内存的封装方式、内存刷新时块的大小等等。据此，大家可以算出：如果SIMM条上只有4片这样的小芯片，就只有8bit*4=32bit宽度，486上可以单用一条，容量是16Mbit*4/8=8MB；而586上必须用两条，容量是16Mbit*8/8=16MB；如果SIMM条上有16片这样的小芯片，就是一条可以在586上单用的32M条。

热心网友时间：2023-10-04 19:53

DDR 266

容量256M

8颗粒x32M

采用HY芯片