晶圆用酒精洗会不会坏?
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发布时间：2022-04-28 18:34
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热心网友
时间：2022-06-17 15:42
以下为题外话，仅供参考。
关于美白小常识。
晒后美白常用面膜，夏天是让我们很苦恼的季节，爱美的MM们都希望可以展示一下自己白嫩的肌肤，可是这烈日炎炎的夏季总是把我们晒的黑黑的，很苦恼。
清爽绿茶面膜，用法：可将糊状物质直接涂抹在脸上，如果觉得浓度不够，可以再敷上一层化妆棉或面膜纸，10-15分钟后洗净即可。效果：清爽的绿茶非常适合夏季面膜的使用，它能迅速帮助降低脸部温度，同时，温和的保护受伤的皮肤，加入的蜂蜜和牛奶也能起到促进皮肤愈合的效果。用后皮肤温度下降，脸也变得光滑起来。全身防晒，涂防晒品时，千万不要忽略了脖子、下巴、耳朵这些地方，否则容易造成肤色不均匀。嘴唇也需要细心的呵护，白天的高温使唇部的水分蒸发得很快，更容易受到阳光的伤害，尽量涂上具有防晒和保湿双重功效的护唇膏。
黄瓜蛋清面膜，做法：黄瓜可事先放置在冰箱中冷藏，拿出后用榨汁机将黄瓜搅成糊状，然后加入鸡蛋清搅匀。
用法：将搅碎成糊状的面膜均匀涂抹在脸上，待水分全干后就可洗净。
酒精使用起来还是比较方便的，最主要是会挥发，所以基本上不用担心会不会变坏的问题。
热心网友
时间：2022-06-17 15:42
技术领域：
本发明涉及一种晶圆表面的清洗方法，更确切的说是在光刻制程中喷涂光刻胶之前晶圆表面的清洗方法。
背景技术：
晶圆在存储、装载和卸载的过程中，以及在每一处理步骤后，通常都会在晶圆上留下污染物，如颗粒物，金属离子，有机物等。不同的污染物需要采用不同的清洗方法。有机杂质污染可通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除；颗粒物污染可以运用物理的方法如机械擦洗或超声波清波技术来去除粒径≥0.4μm的颗粒，利用兆声波可去除≥0.2μm的颗粒。目前业界最广泛采用的清除污染物的方法是使用SC1清洗液(NH4OH/H2O2/H2O＝1∶1∶5)和SC2清洗液(HCL/H2O2/H2O＝1∶1∶6)，不仅能去除有机物和颗粒污染，也能够更好的去除金属离子污染。晶圆在进入光刻制程前，通常会利用SC1清洗液和SC2清洗液清除表面的有机物、金属颗粒等污染物，但这种方法相对成本较高。
出于降低成本和节约生产周期的考虑，在晶圆进入光刻制程前的一些制程并不使用SC1清洗液和SC2清洗液，而是采用去离子水冲洗的方法。如中国专利CN02131868提供了一种晶圆的清洗方法，主要是在晶圆表面形成一层材料层后，对此晶圆进行一刷洗工艺。先供给去离子水至晶圆表面，并以刷头刷洗晶圆表面后，在甩干附着于晶圆表面的去离子水的同时，以惰性气体喷吹晶圆表面。但是利用这种方法对晶圆表面进行清洗之后，并不能完全的清除晶圆表面的污染物，这些污染物被带入光刻胶喷涂制程之后，也会导致光刻图形失效。
在薄膜沉积过程中如沉积金属层(metal)和沉积介电绝缘层(IntermetalDielectric；IMD)过程中，除了产生金属颗粒之外，还会产生一些主要成分为碳元素的有机物污染。现有技术一般都是采用等离子水冲洗的方法对薄膜沉积制程后的晶圆表面进行清洗，这种清洗方法只能清除晶圆表面的金属颗粒，不能完全清除晶圆表面的有机物污染。如果这些有机物污染进入光刻制程，也会产生晶圆表面光刻图形的失效。
晶圆进入光刻制程之后，在喷涂光刻胶
热心网友
时间：2022-06-17 15:43
技术介绍
随着全球电子化设备的不断更新换代，全球芯片需要量也在不断的增加，由于芯片的价格过于昂贵，芯片厂在正式生产过程中会使用大量的假陪片来确保工艺和设备的稳定，假陪片的定义是可以反复回收使用的硅片，同时洁净等级是与产品片有着一致要求的一种硅片，所以用于装载假陪片的晶圆盒同样有着极高的洁净等级要求。当假陪片在芯片厂多次使用后，会使用晶圆盒装好送至返抛厂回收再加工，由于假陪片加工好后颗粒及金属等级要求极高，通常返抛厂会使用全新的晶圆盒包装硅片再出货，这类晶圆盒占了返抛厂很大的成本，那些沾污的晶圆盒由于无法处理只能作塑料垃圾处理，极大的污染了环境，同时也不利于返抛厂的成本管控。如果能够将这类沾污的晶圆盒利用起来，一来可以降低环境的污染，二来可以降低返抛厂的成本，这是很有必要做的一项工作。这类晶圆盒一般经过芯片厂出来后晶圆盒表面残留有硅片的信息标签，晶圆盒内部残留有芯片厂在晶圆上做工艺后掉落的各种金属膜层残渣，以及一些碎的硅片粉末，这对后续处理有着极大的挑战，清洗干净的晶圆盒必须达到与购买全新的晶圆盒一样的洁净水平。CN108389781A公开了一种清洗回收晶圆盒或卡塞的方法，包括以下步骤：使用光源检查晶圆盒或卡塞，撕去晶圆盒或卡塞上的标签，将晶圆盒或卡塞拆卸备用；将拆卸备用的晶圆盒或卡塞放入第一超声槽中进行超声清洗3～5min，第一超声槽里放有氨水和去离子水形成的混合溶液，氨水和去离子水体积比为1:30～60；之后将晶圆盒或卡塞取出放入溢流槽中，...
【技术保护点】
1.一种晶圆盒清洗方法，其特征在于，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆盒清洗方法，其特征在于，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒。2.根据权利要求1所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(1)中所述乙醇溶液的质量分数为95％～99.5％；优选地，所述涂覆的时间1～2min。3.根据权利要求1或2所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(1)活性剂浸泡之前，还包括使用无尘布擦拭晶圆盒。4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(1)中所述活性剂为NCW-1002清洗剂；优选地，所述NCW-1002清洗剂为聚氧乙烯烷基醚和水的混合物；优选地，所述聚氧乙烯烷基醚在NCW-1002清洗剂中的质量分数为5％～15％；优选地，步骤(1)中所述浸泡的温度为40～60℃；优选地，步骤(1)中所述浸泡的时间为5～10min。5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(2)中所述氢氟酸的质量分数为1％～5％；优选地，步骤(2)中所述浸泡的时间为5～10min。6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(3)中所述工业清洗剂为盐酸、双氧水和水组成的混合溶液；优选地，所述盐酸的质量分数为5％～10％；优选地，所述双氧水的质量分数为5％～10％；优选地...
