发布网友 发布时间:2022-04-20 03:52
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热心网友 时间:2022-03-30 22:04
mos管通俗易懂的工作原理:
芯片MOS(Metal Oxide Semiconctor,金属氧化物半导体)管自上世纪中叶时期被发明以来,其工作原理变化不大(但材料和工艺随着制程演进变化较大)。
以N型MOS管四端器件为例:NMOS管四端分别是D、G、S、B,即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件(区别于Bipolar的电流控制电流器件特性)。当栅源电压差为0时,漏源之间不会形成电流前段(工作在截止区)。
N型MOS管四端器件
当栅源电压差小于阈值电压时(工作在亚阈值区),漏源之间有很小的电流,和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时,并且漏源电压较大时,漏源之间有较大电流,其与栅源电压成平方关系。
若漏源电压较小时,漏源之间有电流,可看成电阻。当然,以上漏端都是人为施加电压,在实际电路中,相同类型器件或者不同类型器件串联在一起时,各个器件根据基尔霍夫电流定律,形成平衡。