什么形号是整流二极管
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发布时间：2022-04-29 15:38
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时间：2023-10-16 04:23
普通整流二极管参数(一)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
IN4001 50 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
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IN4005 600 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
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IN5398 800 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
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RL157 1000 1。5 60 5。0 1。5 DO--15
普通整流二极管参数(二)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
RL201 50 2 70 5 1 DO--15
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普通整流二极管参数(三)
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P600K 800 6 400 10 0.95 R--6
P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6
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时间：2023-10-16 04:23
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
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时间：2023-10-16 04:24
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时间：2023-10-16 04:24
1N开头的.如1N4007是美国型号，不是日本的型号。
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时间：2023-10-16 04:25
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时间：2023-10-16 04:23
普通整流二极管参数(一)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
IN4001 50 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
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IN5398 800 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
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普通整流二极管参数(二)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
RL201 50 2 70 5 1 DO--15
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普通整流二极管参数(三)
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时间：2023-10-16 04:23
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
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时间：2023-10-16 04:23
普通整流二极管参数(一)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
IN4001 50 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
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RL157 1000 1。5 60 5。0 1。5 DO--15
普通整流二极管参数(二)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
RL201 50 2 70 5 1 DO--15
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普通整流二极管参数(三)
IN5401 50 3 200 5 1 DO--27
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P600K 800 6 400 10 0.95 R--6
P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6
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时间：2023-10-16 04:23
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
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时间：2023-10-16 04:24
1N开头的.如1N4007是美国型号，不是日本的型号。
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时间：2023-10-16 04:25
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1N开头的.如1N4007是美国型号，不是日本的型号。
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普通整流二极管参数(一)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
IN4001 50 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
IN4002 100 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
IN4003 200 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
IN4004 400 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
IN4005 600 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
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IN4007 1000 1。0 30 5。0 1。0 DO--41
IN5391 50 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
IN5392 100 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
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IN5395 400 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
IN5396 500 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
IN5397 600 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
IN5398 800 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
IN5399 1000 1。5 50 5。0 1。5 DO--15
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RL155 600 1。5 60 5。0 1。5 DO--15
RL156 800 1。5 60 5。0 1。5 DO--15
RL157 1000 1。5 60 5。0 1。5 DO--15
普通整流二极管参数(二)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
RL201 50 2 70 5 1 DO--15
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RL205 600 2 70 5 1 DO--15
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RY251 200 3 150 5 3 DO--27
RY252 400 3 150 5 3 DO--27
RY253 600 3 150 5 3 DO--27
RY254 800 3 150 5 3 DO--27
RY255 1300 3 150 5 3 DO--27
普通整流二极管参数(三)
IN5401 50 3 200 5 1 DO--27
IN5402 100 3 200 5 1 DO--27
IN5403 150 3 200 5 1 DO--27
IN5404 200 3 200 5 1 DO--27
IN5405 400 3 200 5 1 DO--27
IN5406 600 3 200 5 1 DO--27
IN5407 800 3 200 5 1 DO--27
IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27
6a05 50 6 400 10 0.95 R--6
6a1 100 6 400 10 0.95 R--6
6a2 200 6 400 10 0.95 R--6
6a4 400 6 400 10 0.95 R--6
6a6 600 6 400 10 0.95 R--6
6a8 800 6 400 10 0.95 R--6
6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6
P600a 50 6 400 10 0.95 R--6
P600B 100 6 400 10 0.95 R--6
P600D 200 6 400 10 0.95 R--6
P600G 400 6 400 10 0.95 R--6
P600J 600 6 400 10 0.95 R--6
P600K 800 6 400 10 0.95 R--6
P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6
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时间：2023-10-16 04:23
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
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时间：2023-10-16 04:24
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时间：2023-10-16 04:24
1N开头的.如1N4007是美国型号，不是日本的型号。
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时间：2023-10-16 04:25
