哪位大虾知道半导体中器件中，载流子迁移率和多晶硅缺陷密度的关系！？

发布网友 发布时间：2022-04-29 16:55

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热心网友 时间：2023-10-20 22:14

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。
载流子在其热运动的过程中，不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞，无规则的改变其运动方向，即发生了散射。

此外，多晶硅的缺陷密度决定载流子发生散射的程度。

载流子散射实际上就是载流子的动量发生改变（大小或者方向）的一种现象。在简单情
况下，在自由加速运动过程中所获得的动量，经过一次散射以后就完全丧失了；若相继两次
散射之间的自由运动平均时间为t，则散射一次以后、有效质量为m*的载流子从电场E 所
获得的动量为qEt=m*vd，从而迁移率与平均自由时间和有效质量的关系为
m = vd/E = qt/m*

热心网友 时间：2023-10-20 22:14

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。
载流子在其热运动的过程中，不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞，无规则的改变其运动方向，即发生了散射。

此外，多晶硅的缺陷密度决定载流子发生散射的程度。

载流子散射实际上就是载流子的动量发生改变（大小或者方向）的一种现象。在简单情
况下，在自由加速运动过程中所获得的动量，经过一次散射以后就完全丧失了；若相继两次
散射之间的自由运动平均时间为t，则散射一次以后、有效质量为m*的载流子从电场E 所
获得的动量为qEt=m*vd，从而迁移率与平均自由时间和有效质量的关系为
m = vd/E = qt/m*

热心网友 时间：2023-10-20 22:14

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。
载流子在其热运动的过程中，不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞，无规则的改变其运动方向，即发生了散射。

此外，多晶硅的缺陷密度决定载流子发生散射的程度。

载流子散射实际上就是载流子的动量发生改变（大小或者方向）的一种现象。在简单情
况下，在自由加速运动过程中所获得的动量，经过一次散射以后就完全丧失了；若相继两次
散射之间的自由运动平均时间为t，则散射一次以后、有效质量为m*的载流子从电场E 所
获得的动量为qEt=m*vd，从而迁移率与平均自由时间和有效质量的关系为
m = vd/E = qt/m*