氮化铝陶瓷基板与与氧化铝陶瓷基板有哪些区别
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发布时间:2022-04-29 16:34
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时间:2023-10-20 00:30
1、导热率:同为陶瓷电路板,但是有很大的区别,氧化铝的导热率差不多在45 W/(m·K)左右,氮化铝的导热率接近其7倍。
2、热膨胀系数:氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板基本相同。
导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数,相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势,其实不光光是只是这两点,氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低,氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。
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时间:2023-10-20 00:30
氧化铝基板是白色,氮化铝基板是灰色。
1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
其次介绍氧化铝陶瓷基板:
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度,具有优良的耐磨性能。
5、氧化铝陶瓷适用范围广,应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备,强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
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时间:2023-10-20 00:30
1、导热率:同为陶瓷电路板,但是有很大的区别,氧化铝的导热率差不多在45 W/(m·K)左右,氮化铝的导热率接近其7倍。
2、热膨胀系数:氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板基本相同。
导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数,相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势,其实不光光是只是这两点,氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低,氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。
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时间:2023-10-20 00:30
氧化铝基板是白色,氮化铝基板是灰色。
1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
其次介绍氧化铝陶瓷基板:
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度,具有优良的耐磨性能。
5、氧化铝陶瓷适用范围广,应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备,强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
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时间:2023-10-20 00:30
1、导热率:同为陶瓷电路板,但是有很大的区别,氧化铝的导热率差不多在45 W/(m·K)左右,氮化铝的导热率接近其7倍。
2、热膨胀系数:氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板基本相同。
导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数,相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势,其实不光光是只是这两点,氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低,氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。
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1、导热率:同为陶瓷电路板,但是有很大的区别,氧化铝的导热率差不多在45 W/(m·K)左右,氮化铝的导热率接近其7倍。
2、热膨胀系数:氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板基本相同。
导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数,相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势,其实不光光是只是这两点,氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低,氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。
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氧化铝基板是白色,氮化铝基板是灰色。
1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
其次介绍氧化铝陶瓷基板:
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度,具有优良的耐磨性能。
5、氧化铝陶瓷适用范围广,应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备,强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
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氧化铝基板是白色,氮化铝基板是灰色。
1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
其次介绍氧化铝陶瓷基板:
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度,具有优良的耐磨性能。
5、氧化铝陶瓷适用范围广,应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备,强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
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时间:2023-10-20 00:30
1、导热率:同为陶瓷电路板,但是有很大的区别,氧化铝的导热率差不多在45 W/(m·K)左右,氮化铝的导热率接近其7倍。
2、热膨胀系数:氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板基本相同。
导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数,相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势,其实不光光是只是这两点,氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低,氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。
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氧化铝基板是白色,氮化铝基板是灰色。
1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
其次介绍氧化铝陶瓷基板:
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度,具有优良的耐磨性能。
5、氧化铝陶瓷适用范围广,应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备,强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。